La meilleure plaque thermique positive en aluminium de CTP d'IRIS-STAR
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La meilleure plaque thermique positive en aluminium de CTP d'IRIS-STAR

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Model No. : IRIS-STAR
Brand Name : IRIS
Material : Aluminum
Usage : Offset Printing
Type : CTP Plate
Style : Positive
plus
8yrs

Taizhou, Jiangsu, China

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Description du produit




IRIS-STAR

Plaques d'impression offset , la technologie ctp basée sur la technologie originale IRIS avec une performance de presse équilibrée, la résolution et la lattitude. Les ingénieurs domestiques doivent rechercher la meilleure focalisation / zoom, puis régler l'énergie laser appropriée pour obtenir une tolérance de fonctionnement suffisante.

La formulation conçue par nos propres propriétés intellectuelles et le processus de fabrication unique font des caractéristiques de la plaque Orient Thermal CTP comme suit:

Conception de formulation unique
Substrat de haute qualité
Opération de pièce lumineuse pratique
Compatibilité exceptionnelle avec l'insoleuse de plaques
Plaques d'impression offset tp, impression offset Ctp

Spécifications du produit

Type

Positive thermal CTP Plate

Application

Commercial sheetfeed and packaging offset printing

Substrate

Electrochemically grained and anodized aluminum

Gauge

0.15/0.20/0.25/0.3/0.4 mm

Maximum short grain width

1350mm

Color

Dark blue

Spectral sensitivity

830nm

Exposure energy

120-130mj/cm2

Resolution

1-99%@450lpi

FM capability

20 micron stochastic

Runlength

150,000 unbaked,300,000 when post baked

Safe light

Daylight handling

Shelf life

18 months,under recommended storage conditions

Storage conditions

Store plates flat in their packaging,away from excessive cold,heat or high humidity at 5-30°c&RH between 40-70%

Post baking recommendation

230-250°c,5-8 minutes

Setter de la plaque: Kodak, Screen, Heidelberg etc.

Développeur: IRIS TD-V, Kodak Goldstar Premium, Imaf therm 830 etc.

Réapprovisionnement: IRIS TDR-V ou autres

Réapprovisionnement: 100-120ml / m2 tout en proessing

60-80 ml / h en position debout

Temps de traitement: 30 ± 5s

Température de développement: 24 ± 1 ° c



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